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  • BSM200GA120DN2IGBT模塊BSM200GA120DN2

    德國(guó)英飛凌1單元IGBT模塊BSM200GA120DN2

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  • FZ200R65KF2京誠(chéng)宏泰英飛凌IGBT模塊FZ200R65KF2

    京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊FZ200R65KF2

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  • FZ1600R12KF4英飛凌IGBT模塊FZ1600R12KF4

    北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌大功率IGBT模塊FZ1600R12KF4

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  • FF900R12IE4英飛凌IGBT模塊FF900R12IE4

    北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊FF900R12IE4

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  • FF450R12KT4英飛凌IGBT模塊FF450R12KT4

    英飛凌IGBT模塊FF450R12KE4,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

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  • FF450R12KE4英飛凌IGBT模塊FF450R12KE4

    英飛凌IGBT模塊FF450R12KE4,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

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  • BSM300GA170DLC英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DLC

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

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  • BSM300GB120DLC英飛凌IGBT模塊BSM300GB120DLC

    英飛凌IGBT模塊BSM300GB120DLC IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

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